收藏本站
Si7222DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
10
25 °C, unless otherwise noted
0.20
I D = 5.7 A
0.16
T J = 150 °C
0.12
1
0.08
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.04
T J = 25 °C
0.1
0.00
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
10
Limited by R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
1s
10 s
DC
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73439
S-83052-Rev. B, 29-Dec-08
www.vishay.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7228DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7230DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7272DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI7326DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7328DN-T1-E3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7342DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7370DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK 8SOIC
SI7374DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
相关代理商/技术参数
SI7224DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7224DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 6.0A 17.8/23W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7224DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dual Asym N-Ch 30V 35/28mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7228DN 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7228DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 26A 23W 20mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI-7230 制造商:SANKEN 制造商全称:Sanken electric 功能描述:Bipolar Driver IC
SI7230DN-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 14A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7230DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 14A 3.7W 12mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube